芯片元素分析

检测项目

1.主量元素与掺杂元素定量分析：硅、锗等衬底材料纯度测定，硼、磷、砷等掺杂剂浓度深度分布分析。

2.金属互连层成分分析：铜、铝、钨等导线金属的组分与厚度测量，钛、氮化钛等阻挡层的元素组成鉴定。

3.介质层与钝化层成分分析：二氧化硅、氮化硅、低介电常数材料等的元素组成与化学计量比测定。

4.关键界面元素分析：金属与半导体接触界面、介质层与硅衬底界面处的元素互扩散与界面反应研究。

5.重金属污染检测：铁、镍、铜、锌、钠、钾等有害重金属杂质在芯片表面的残留量与面分布分析。

6.轻元素分析：氢、碳、氧、氮等轻元素在薄膜材料、钝化层或污染物中的含量与分布检测。

7.微观区域成分分析：对晶体管栅极、接触孔、通孔等特定微米或亚微米尺寸结构进行定点元素鉴定。

8.元素深度分布分析：测量不同元素从表面到体内随深度的浓度变化，用于分析薄膜叠层结构、掺杂剖面及扩散行为。

9.颗粒物与异物成分鉴定：对芯片表面发现的微小颗粒、析出物或缺陷进行成分溯源分析，定位污染来源。

10.焊点与凸块成分分析：锡银铜、金锡等焊料合金的成分均匀性、金属间化合物形成及杂质元素检测。

11.失效点元素分析：针对短路、开路、漏电等电性失效位置，分析其异常元素组成，揭示失效的物理化学原因。

12.工艺残留物分析：检测刻蚀后残留物、化学机械抛光后浆料残留、清洗后溶剂残留等工艺引入的污染元素。

检测范围

硅晶圆、砷化镓晶圆、外延片、二氧化硅介质层、氮化钛阻挡层、铜互连线、铝键合 pad、钨栓塞、高介电常数栅极材料、低介电常数层间介质、锡银铜焊球、金丝键合点、芯片表面钝化层、晶体管有源区、浅沟槽隔离区域、金属硅化物接触层、芯片封装用环氧树脂模塑料、晶圆背面涂层、光刻胶残留、工艺过程中的微粒污染物

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于极高灵敏度的元素深度剖析与痕量杂质检测，可获得从氢到铀几乎所有元素的深度分布信息。

2.扫描电子显微镜搭配能谱仪：提供微米至纳米尺度的表面形貌观察，并对观察区域进行快速的元素定性及半定量分析。

3.透射电子显微镜搭配能谱仪：实现原子尺度的晶体结构成像，并对极微小区域（如单个晶体管）进行精确的元素成分分析。

4.俄歇电子能谱仪：擅长表面及界面（1-3纳米深度）的元素分析，特别适用于轻元素检测、薄层分析及元素化学态鉴定。

5. X射线光电子能谱仪：用于材料最表面数纳米厚度的元素组成、化学态与电子态分析，精确鉴定元素价态与化学键信息。

6.电感耦合等离子体质谱仪：对溶解后的芯片样品进行全元素扫描，实现ppt至ppb级别的超痕量金属杂质定量分析。

7. X射线荧光光谱仪：对芯片薄膜的组成与厚度进行快速、无损的定量分析，适用于在线或大批量样品的膜厚与成分监控。

8.辉光放电质谱仪：提供从材料表面到体内部，几乎所有元素包括难测元素的深度分布与定量分析，样品制备相对简单。

9.聚焦离子束系统：用于在芯片特定位置（如失效点）进行精确的截面切割与样品制备，为后续显微分析提供定位样品。

10.原子力显微镜：在纳米尺度上表征芯片表面的三维形貌、粗糙度及物理特性，可与电学、光学等模式联用以获取综合信息。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.